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SQ3427EEV-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1125pF @ 30V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
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SQ3427EEV-T1-GE3 書類

データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SQ3427EEV-T1-GE3

その他には以下が含まれます：   "SQ342"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQ3425EV-T1 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3381
SQ3425EV-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 3000
SQ3425EV-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2784
SQ3425EV-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
SQ3426AEEV-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2658
SQ3426AEEV-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 64179
SQ3426AEEV-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2752
SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 24370
SQ3426EEV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 41666
SQ3426EEV-T1-GE3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 17960

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SQ3427EEV-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SQ3427EEV-T1-GE3 参考価格. SQ3427EEV-T1-GE3 パラメーター, SQ3427EEV-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQ3427EEV-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQ3427EEV-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQ3427EEV-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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