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SQ4431EY-T1_GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 6W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1265pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQ4431EY VISHAY 特殊なホットIC 5889
SQ4431EY-T1-GE3 V 特殊なホットIC 17902
SQ4431EY-T1-GE3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 18948
SQ4431EY-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2718
SQ4431EY-T1_GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SQ4435EY VISHAY 特殊なホットIC 5889
SQ4435EY-T1-GE3 V 特殊なホットIC 10402
SQ4435EY-T1-GE3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 16244
SQ4435EY-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2698

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SQ4431EY-T1_GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SQ4431EY-T1_GE3 参考価格. SQ4431EY-T1_GE3 パラメーター, SQ4431EY-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQ4431EY-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQ4431EY-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQ4431EY-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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