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SQD25N15-52_GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 150V 25A TO252

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
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SQD25N15-52_GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQD25N06-22L VISHAY 特殊なホットIC 28257
SQD25N06-22L-GE3 V 特殊なホットIC 13169
SQD25N06-22L-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 425
SQD25N06-22L_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2569
SQD25N06-22L_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2664
SQD25N06-22L_T4GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2724
SQD25N06-35L-GE3 VB 特殊なホットIC 5000
SQD25N15-52 VISHIA 特殊なホットIC 30468
SQD25N15-52-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2509
SQD25N15-52-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 2264

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SQD25N15-52_GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SQD25N15-52_GE3 参考価格. SQD25N15-52_GE3 パラメーター, SQD25N15-52_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQD25N15-52_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQD25N15-52_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQD25N15-52_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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