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SQD50N05-11L_GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 50V 50A TO252

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 45A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2106pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQD50A100 SANREX IGBTモジュール 2974
SQD50A60 SANREX IGBTモジュール 2703
SQD50A90 SANREX IGBTモジュール 2807
SQD50AA100 SANREX IGBTモジュール 2713
SQD50AB100 IGBT Module IGBTモジュール 2744
SQD50AB90 SANREX IGBTモジュール 2884
SQD50B90 SANREX IGBTモジュール 2886
SQD50BA100 SANREX IGBTモジュール 2570
SQD50BB75 SANREX IGBTモジュール 2610
SQD50BB90 SanRex IGBTモジュール 2280

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SQD50N05-11L_GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SQD50N05-11L_GE3 参考価格. SQD50N05-11L_GE3 パラメーター, SQD50N05-11L_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQD50N05-11L_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQD50N05-11L_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQD50N05-11L_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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