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SQJ476EP-T1_GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 23A SO8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQJ474EP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 660
SQJ474EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2601
SQJ474EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2600
SQJ474EP-T1_GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SQJ476EP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 477
SQJ476EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2945
SQJ479EP-T1_BE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3333
SQJ479EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23959
SQJ479EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3051
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SQJ476EP-T1_GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SQJ476EP-T1_GE3 参考価格. SQJ476EP-T1_GE3 パラメーター, SQJ476EP-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQJ476EP-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQJ476EP-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQJ476EP-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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