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SQJ488EP-T1_GE3
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SQJ488EP-T1_GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 7.4A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 979pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
SQJ488EP-T1_GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SQJ488EP-T1_GE3
-
データシート
SQJ488EP-T1_GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SQJ48" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SQJ48'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SQJ481EP-T1-GE3 | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 5499 |
SQJ481EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2778 |
SQJ486EP-T1-GE3 | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 8212 |
SQJ486EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 6852 |
SQJ486EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 477 |
SQJ486EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SQJ488EP-T1-GE3 | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 9498 |
SQJ488EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 3020 |
SQJ488EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | SQJ488EP-T1_GE3 | |
SQJ488EP-T2_GE3 | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 7946 |
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