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SQJQ900E-T1_GE3 技術仕様

MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power - Max 135W
Package / Case PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5900pF @ 20V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQJQ900E-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2672
SQJQ900E-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SQJQ904E-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2532
SQJQ904E-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2626
SQJQ904E-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SQJQ906E-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2638
SQJQ906E-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2632
SQJQ906EL-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2635
SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ

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SQJQ900E-T1_GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SQJQ900E-T1_GE3 参考価格. SQJQ900E-T1_GE3 パラメーター, SQJQ900E-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQJQ900E-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQJQ900E-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQJQ900E-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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