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SQM120N04-1M7_GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 310nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 17350pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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SQM120N04-1M7_GE3 書類

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その他には以下が含まれます：   "SQM12"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQM120N02-1M3L_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1165
SQM120N03-1M5L VISH 特殊なホットIC 12027
SQM120N03-1M5L-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 1036
SQM120N03-1M5L_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2520
SQM120N03-1M5L_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2775
SQM120N04-02L-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 522
SQM120N04-03-GE3 VB 特殊なホットIC 1000
SQM120N04-03L-GE3 VB 特殊なホットIC 1000
SQM120N04-04-GE3 VB 特殊なホットIC 1000
SQM120N04-1M4L_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0

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SQM120N04-1M7_GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SQM120N04-1M7_GE3 参考価格. SQM120N04-1M7_GE3 パラメーター, SQM120N04-1M7_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQM120N04-1M7_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQM120N04-1M7_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQM120N04-1M7_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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