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SUD50N03-09P-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 63A TO252

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 63A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SUD50N014-06P VISHAY 特殊なホットIC 2757
SUD50N014-09P VISHAY 特殊なホットIC 2220
SUD50N02-04P VISHAY 特殊なホットIC 12965
SUD50N02-04P-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4386
SUD50N02-04P-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 22201
SUD50N02-06 VISHAY 特殊なホットIC 5407
SUD50N02-06-E3 VISHAY 特殊なホットIC 1365
SUD50N02-06P TO-252 特殊なホットIC 20653
SUD50N02-06P-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 31136
SUD50N02-06P-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1363

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SUD50N03-09P-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SUD50N03-09P-GE3 参考価格. SUD50N03-09P-GE3 パラメーター, SUD50N03-09P-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SUD50N03-09P-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SUD50N03-09P-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SUD50N03-09P-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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