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SUD50P10-43L-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43 mOhm @ 9.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 50V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37.1A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SUD50N014-06P VISHAY 特殊なホットIC 2757
SUD50N014-09P VISHAY 特殊なホットIC 2220
SUD50N02-04P VISHAY 特殊なホットIC 12965
SUD50N02-04P-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4386
SUD50N02-04P-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 22201
SUD50N02-06 VISHAY 特殊なホットIC 5407
SUD50N02-06-E3 VISHAY 特殊なホットIC 1365
SUD50N02-06P TO-252 特殊なホットIC 20653
SUD50N02-06P-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 31136
SUD50N02-06P-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1363

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SUD50P10-43L-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SUD50P10-43L-GE3 参考価格. SUD50P10-43L-GE3 パラメーター, SUD50P10-43L-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SUD50P10-43L-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SUD50P10-43L-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SUD50P10-43L-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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