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SUP50N10-21P-GE3
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SUP50N10-21P-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2055pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
SUP50N10-21P-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SUP50N10-21P-GE3
その他には以下が含まれます: "SUP50" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SUP50020E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2669 |
SUP50020EL-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 428 |
SUP50020EL-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2828 |
SUP50N03-5M1-GE3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 6701 |
SUP50N03-5m1P | VISHAY | 特殊なホットIC | 50291 |
SUP50N03-5M1P-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 10484 |
SUP50N03-5M1P-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 503 |
SUP50N03-5M1P-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SUP50N03-5M1P-GE3 MOS | VBSEMI | 特殊なホットIC | 10502 |
SUP50N06-16L | VISH | 特殊なホットIC | 25376 |
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