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W632GG6AB-12 技術仕様

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

製品の属性 属性値
Category 集積回路 (IC) / メモリー
Manufacturer Winbond Electronics Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - DDR3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 2Gb (128M x 16)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns
Access Time 20ns
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.425 V ~ 1.575 V
Operating Temperature 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 800MHz
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
W632GG6AB-15 Winbond Electronics Corporation メモリー 2739
W632GG6KB-09 Winbond Electronics Corporation メモリー 2790
W632GG6KB-11 Winbond Electronics Corporation メモリー 2680
W632GG6KB-11 TR Winbond Electronics Corporation メモリー 2607
W632GG6KB-12 Winbond Electronics Corporation メモリー 758
W632GG6KB-12 IC Winbond Electronics Corporation 特殊なホットIC 714
W632GG6KB-12 TR Winbond Electronics Corporation メモリー 2679
W632GG6KB-15 Winbond Electronics Corporation メモリー 1346
W632GG6KB-15 IC Winbond Electronics Corporation 特殊なホットIC 414
W632GG6KB-15 TR Winbond Electronics Corporation メモリー 2684

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W632GG6AB-12 ブランドメーカー: Winbond Electronics Corporation, Bonchip ストック, W632GG6AB-12 参考価格. W632GG6AB-12 パラメーター, W632GG6AB-12 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 W632GG6AB-12 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 W632GG6AB-12 ピン図と回路図と機能の使用方法、 W632GG6AB-12 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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