2N5401TF 技術仕様

TRANS PNP 150V 0.6A TO-92

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150V
Transistor Type PNP
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 600mA 400MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Base Part Number 2N5401
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
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