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FDB3652 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2880pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D²PAK
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 61A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDB3652-ND FDB3652TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 61A (Tc)
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FDB3652 ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, FDB3652 参考価格. FDB3652 パラメーター, FDB3652 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FDB3652 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FDB3652 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FDB3652 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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