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FDB3632 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 80A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FDB3632 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 31051
FDB3632 ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
FDB3632 MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 802
FDB3632-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2663
FDB3632-F085 ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
FDB3632-NL Original 特殊なホットIC 2504
FDB3632_F085 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32730
FDB3632_SB82115 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2701
FDB3652 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 30512
FDB3652 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 30512

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FDB3632 ブランドメーカー: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip ストック, FDB3632 参考価格. FDB3632 パラメーター, FDB3632 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FDB3632 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FDB3632 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FDB3632 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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