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FJN3306RBU 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Power - Max 300mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package TO-92-3
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Packaging Bulk
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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FJN3301 FAIRCH 特殊なホットIC 2692
FJN3301RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2738
FJN3301RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2530
FJN3301RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 0
FJN3301RTA Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2647
FJN3301RTA ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
FJN3302RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2629
FJN3302RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2565
FJN3302RBU ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJN3302RTA Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2184

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FJN3306RBU ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, FJN3306RBU 参考価格. FJN3306RBU パラメーター, FJN3306RBU データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FJN3306RBU プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FJN3306RBU ピン図と回路図と機能の使用方法、 FJN3306RBU エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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