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FQE10N20LCTU
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FQE10N20LCTU 技術仕様
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 12.8W (Tc) |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-126 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 2A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126 |
FQE10N20LCTU 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "FQE10" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'FQE10'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
FQE10N20CTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 0 |
FQE10N20CTU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2680 |
FQE10N20LCTU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2629 |
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FQE10N20LCTU ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, FQE10N20LCTU 参考価格. FQE10N20LCTU パラメーター, FQE10N20LCTU データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FQE10N20LCTU プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FQE10N20LCTU ピン図と回路図と機能の使用方法、 FQE10N20LCTU エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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