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FQE10N20LCTU 技術仕様

MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package TO-126
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 12.8W (Tc)
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
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FQE10N20CTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
FQE10N20CTU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2680
FQE10N20LCTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2601

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FQE10N20LCTU ブランドメーカー: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip ストック, FQE10N20LCTU 参考価格. FQE10N20LCTU パラメーター, FQE10N20LCTU データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FQE10N20LCTU プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FQE10N20LCTU ピン図と回路図と機能の使用方法、 FQE10N20LCTU エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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