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MUN5116DW1T1G 技術仕様

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 250mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
MUN5111DW1T1 ON 特殊なホットIC 4000
MUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 139500
MUN5111DW1T1G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
MUN5111DWT1G ON 特殊なホットIC 2575
MUN5111LT1G ON 特殊なホットIC 3000
MUN5111T1 ON 特殊なホットIC 2478
MUN5111T1 Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
MUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 9700
MUN5111T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
MUN5111T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 521

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MUN5116DW1T1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, MUN5116DW1T1G 参考価格. MUN5116DW1T1G パラメーター, MUN5116DW1T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MUN5116DW1T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MUN5116DW1T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 MUN5116DW1T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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