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NSS60600MZ4T1G 技術仕様

TRANS PNP 60V 6A SOT-223

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 800mW
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 600mA, 6A
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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NSS60100DMTTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 1408
NSS60100DMTTBG ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
NSS60101DMTTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2796
NSS60101DMTTBG ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
NSS60200DMTTBG ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
NSS60200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 23016
NSS60200LT1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NSS60201LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 5729
NSS60201LT1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NSS60600MZ4T1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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NSS60600MZ4T1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSS60600MZ4T1G 参考価格. NSS60600MZ4T1G パラメーター, NSS60600MZ4T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSS60600MZ4T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSS60600MZ4T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSS60600MZ4T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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