NSS60101DMTTBG 技術仕様

Trans GP BJT NPN 60V 1A 6-Pin WDFN T/R

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 配列 BJT トランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2015
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Power - Max 2.27W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 180mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 180mV @ 100mA, 1A
Frequency - Transition 180MHz
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2.27W
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
NSS60100DMTTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 1408
NSS60100DMTTBG ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
NSS60101DMTTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2796
NSS60200DMTTBG ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
NSS60200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 23016
NSS60200LT1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NSS60201LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 5729
NSS60201LT1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NSS60600MZ4T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 5468
NSS60600MZ4T1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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