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NSVMUN2212T1G 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 230mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-59-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSVMUN2112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2673
NSVMUN2112T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN2212T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
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NSVMUN2212T1G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSVMUN2212T1G 参考価格. NSVMUN2212T1G パラメーター, NSVMUN2212T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSVMUN2212T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSVMUN2212T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSVMUN2212T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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