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NSVMUN2236T1G 技術仕様

SS SC59 BR XSTR NPN 50V

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power - Max 230mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Emitter Base (R2) 100 k Ω
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 100 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSVMUN2112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2673
NSVMUN2112T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN2212T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3242
NSVMUN2212T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN2233T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2772
NSVMUN2233T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN2237T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 18227
NSVMUN2237T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN5111DW1T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 443211
NSVMUN5111DW1T3G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ

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NSVMUN2236T1G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSVMUN2236T1G 参考価格. NSVMUN2236T1G パラメーター, NSVMUN2236T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSVMUN2236T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSVMUN2236T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSVMUN2236T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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