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C3M0120090D 技術仕様

900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Cree Wolfspeed
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Series C3M™
Power Dissipation (Max) 97W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 52 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 600V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Detailed Description N-Channel 900V 23A (Tc) 97W (Tc) Through Hole TO-247-3
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +18V, -8V
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 15A, 15V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3nC @ 15V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
C3M0120090D Cree トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2565
C3M0120090J Cree トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 650
C3M0120090J Cree Wolfspeed トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2883
C3M0120090J-TR Cree トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2753
C3M0120090J-TR Cree Wolfspeed トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2728
C3M0120100J Cree トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2558
C3M0120100J Cree Wolfspeed トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2519
C3M0120100K Cree Wolfspeed トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2787
C3M0120100K Cree トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2453
C3M0120100K Cree/Wolfspeed 単一MOSFETトランジスタ

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C3M0120090D ブランドメーカー: Cree Wolfspeed, Bonchip ストック, C3M0120090D 参考価格. C3M0120090D パラメーター, C3M0120090D データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 C3M0120090D プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 C3M0120090D ピン図と回路図と機能の使用方法、 C3M0120090D エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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