C3M0120090J-TR 技術仕様

MOSFET N-CH 900V 22A

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Cree Wolfspeed
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Series C3M™
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3nC @ 15V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +18V, -8V
Supplier Device Package D2PAK-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 15A, 15V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names C3M0120090J-TRCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 26 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 600V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Detailed Description N-Channel 900V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
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C3M0120090D Cree Wolfspeed トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2662
C3M0120090D Cree トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2565
C3M0120090J Cree トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 650
C3M0120090J Cree Wolfspeed トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2883
C3M0120090J-TR Cree トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2753
C3M0120100J Cree トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2558
C3M0120100J Cree Wolfspeed トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2519
C3M0120100K Cree Wolfspeed トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2787
C3M0120100K Cree トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2453
C3M0120100K Cree/Wolfspeed 単一MOSFETトランジスタ

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