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1N5817-B
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1N5817-B 技術仕様
DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 3A |
Supplier Device Package | DO-41 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 125°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | DO-204AL, DO-41, Axial |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacitance @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
1N5817-B 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください 1N5817-B
-
データシート
1N5817-B.pdf
その他には以下が含まれます: "1N581" 部品
次の部分には次のものが含まれます '1N581'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
1N5811 | Semtech | ダイオード - 整流器 - シングル | 5371 |
1N5811C.TR | Semtech | ダイオード - 整流器 - シングル | 2696 |
1N5811TR | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2735 |
1N5811US | Semtech | ダイオード - 整流器 - シングル | 0 |
1N5811US | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2559 |
1N5811US | Microsemi Corporation | 単相ダイオード整流器 | |
1N5812 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2779 |
1N5812R | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2551 |
1N5813 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2617 |
1N5813R | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 0 |
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1N5817-B ブランドメーカー: Diodes Incorporated, Bonchip ストック, 1N5817-B 参考価格. 1N5817-B パラメーター, 1N5817-B データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 1N5817-B プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 1N5817-B ピン図と回路図と機能の使用方法、 1N5817-B エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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