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DMN3190LDW-13
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DMN3190LDW-13 技術仕様
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 1.3A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 20V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Power - Max | 320mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A |
DMN3190LDW-13 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください DMN3190LDW-13
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データシート
DMN3190LDW-13.pdf
その他には以下が含まれます: "DMN31" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'DMN31'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
DMN3110LCP3 | Diodes Incorporated | 特殊なホットIC | 90000 |
DMN3110LCP3-7 | Diodes Incorporated | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 108464 |
DMN3110S | D | 特殊なホットIC | 18578 |
DMN3110S MOS | VBSEMI | 特殊なホットIC | 18818 |
DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 111879 |
DMN3110S-7 MOS | Diodes Incorporated | 特殊なホットIC | 9209 |
DMN3110S-7-F | Diodes | 特殊なホットIC | 6500 |
DMN3112S-7 | Diodes Incorporated | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 176668 |
DMN3112S-7-F | DIODES | 特殊なホットIC | 1026 |
DMN3112SQ-7 | T | 特殊なホットIC | 13066 |
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DMN3190LDW-13 ブランドメーカー: Diodes Incorporated, Bonchip ストック, DMN3190LDW-13 参考価格. DMN3190LDW-13 パラメーター, DMN3190LDW-13 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DMN3190LDW-13 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DMN3190LDW-13 ピン図と回路図と機能の使用方法、 DMN3190LDW-13 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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