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IRFBE30L 技術仕様

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFBE30L
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRFBE20 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 13093
IRFBE20 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1193
IRFBE20L Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2652
IRFBE20L Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
IRFBE20PBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 8140
IRFBE20PBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1147
IRFBE20PBF MOS IR 特殊なホットIC 383
IRFBE20S Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2761
IRFBE20S Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2541
IRFBE20SPBF VISHAY 特殊なホットIC 9000

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IRFBE30L ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, IRFBE30L 参考価格. IRFBE30L パラメーター, IRFBE30L データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFBE30L プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFBE30L ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFBE30L エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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