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IRFBG30 技術仕様

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 1.9A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFBG30
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 980pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 1000V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRFBG20 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1491
IRFBG20 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 7446
IRFBG20L Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
IRFBG20L Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2729
IRFBG20PBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2475
IRFBG20PBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3190
IRFBG20PBF Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
IRFBG20PBF   IR 特殊なホットIC 5422
IRFBG30 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2201
IRFBG30PBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1491

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IRFBG30 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, IRFBG30 参考価格. IRFBG30 パラメーター, IRFBG30 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFBG30 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFBG30 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFBG30 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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