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IRFBG20PBF 技術仕様

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 Ohm @ 840mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 54W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRFBG20 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1491
IRFBG20 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 7446
IRFBG20L Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
IRFBG20L Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2729
IRFBG20PBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3190
IRFBG20PBF Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
IRFBG20PBF   IR 特殊なホットIC 5422
IRFBG30 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2201
IRFBG30 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3313
IRFBG30PBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1491

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IRFBG20PBF ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, IRFBG20PBF 参考価格. IRFBG20PBF パラメーター, IRFBG20PBF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFBG20PBF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFBG20PBF ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFBG20PBF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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