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IRFSL9N60A 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFSL9N60A
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-262-3
Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262-3
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IRFSL9N60A ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, IRFSL9N60A 参考価格. IRFSL9N60A パラメーター, IRFSL9N60A データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFSL9N60A プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFSL9N60A ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFSL9N60A エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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