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SI5517DU-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 8.3W
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Base Part Number SI5517
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI5517DU-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI5511DC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 9413
SI5511DC-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 6247
SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI5511DC-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2723
SI5511DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2612
SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI5513CDC VISHAY 特殊なホットIC 2578
SI5513CDC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2515
SI5513CDC-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2724
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SI5517DU-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI5517DU-T1-GE3 参考価格. SI5517DU-T1-GE3 パラメーター, SI5517DU-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI5517DU-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI5517DU-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI5517DU-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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