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SI5511DC-T1-E3 技術仕様

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W, 2.6W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A, 3.6A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI5511DC-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Base Part Number SI5511
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SI5511DC-T1-E3 書類

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SI5511DC-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 6247
SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI5511DC-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2723
SI5511DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2612
SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI5513CDC VISHAY 特殊なホットIC 2578
SI5513CDC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2515
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SI5511DC-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI5511DC-T1-E3 参考価格. SI5511DC-T1-E3 パラメーター, SI5511DC-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI5511DC-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI5511DC-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI5511DC-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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