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SI7617DN-T1-GE3
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SI7617DN-T1-GE3 技術仕様
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI7617DN-T1-GE3TR SI7617DNT1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 27 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 15V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | P-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
SI7617DN-T1-GE3 書類
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データシート
SI7617DN-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI761" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI761'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI7611DN | SI | 特殊なホットIC | 8374 |
Si7611DN-T1-E3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 457 |
SI7611DN-T1-E3 IC | TI | 特殊なホットIC | 735 |
SI7611DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 47574 |
SI7611DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 3700 |
SI7611DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
Si7611DN-T1-GE3 MOS | CCSEMI | 特殊なホットIC | 3310 |
SI7613DN-T1-E3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 2718 |
SI7613DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 43873 |
SI7613DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5844 |
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