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SIA928DJ-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 7.8W
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIA928DJ-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIA920DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 30368
SIA920DJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 30368
SIA920DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIA921EDJ Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5367
SIA921EDJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 252599
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SIA928DJ-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIA928DJ-T1-GE3 参考価格. SIA928DJ-T1-GE3 パラメーター, SIA928DJ-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIA928DJ-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIA928DJ-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIA928DJ-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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