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SIHD7N60E-GE3
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SIHD7N60E-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
Packaging | Bulk |
Other Names | SIHD7N60EGE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D-Pak |
Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-Pak |
SIHD7N60E-GE3 書類
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データシート
SIHD7N60E-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SIHD7" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIHD7'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SIHD7N60E-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2707 |
SIHD7N60E-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2743 |
SIHD7N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 638 |
SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SIHD7N60ET4-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2735 |
SIHD7N60ET5-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2578 |
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SIHD7N60E-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIHD7N60E-GE3 参考価格. SIHD7N60E-GE3 パラメーター, SIHD7N60E-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHD7N60E-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHD7N60E-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHD7N60E-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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