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SIHD7N60E-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIHD7N60E-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2743
SIHD7N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3009
SIHD7N60E-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 638
SIHD7N60E-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIHD7N60ET4-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2735
SIHD7N60ET5-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2578

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SIHD7N60E-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIHD7N60E-E3 参考価格. SIHD7N60E-E3 パラメーター, SIHD7N60E-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHD7N60E-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHD7N60E-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHD7N60E-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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