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SIZ910DT-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 48W, 100W
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-PowerPair® (6x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SIZ910DT-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 48W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Base Part Number SIZ910
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIZ910DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 541
SIZ910DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIZ914DT-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 648
SIZ914DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2637
SIZ914DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 0
SIZ914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIZ916DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2941
SIZ916DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 1427
SIZ916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIZ916DT-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 705

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SIZ910DT-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIZ910DT-T1-GE3 参考価格. SIZ910DT-T1-GE3 パラメーター, SIZ910DT-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIZ910DT-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIZ910DT-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIZ910DT-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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