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SIZ916DT-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 22.7W, 100W
Package / Case 6-PowerPair™
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A, 40A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-PowerPair™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4 mOhm @ 19A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1208pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIZ910DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 541
SIZ910DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 252
SIZ910DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIZ914DT-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 648
SIZ914DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2637
SIZ914DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 0
SIZ914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIZ916DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2941
SIZ916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
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SIZ916DT-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIZ916DT-T1-GE3 参考価格. SIZ916DT-T1-GE3 パラメーター, SIZ916DT-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIZ916DT-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIZ916DT-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIZ916DT-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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