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SQ1912EH-T1_GE3
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SQ1912EH-T1_GE3 技術仕様
MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power - Max | 1.5W |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 10V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SC-70-6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SQ1912EH-T1_GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.15nC @ 4.5V |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA (Tc) 1.5W Surface Mount SC-70-6 |
SQ1912EH-T1_GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SQ1912EH-T1_GE3
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データシート
SQ1912EH-T1_GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SQ191" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SQ191'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SQ1912AEEH-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 21480 |
SQ1912AEEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SQ1912EEH-T1-GE3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 3409 |
SQ1912EEH-T1-GE3 MOS | VBSEMI | 特殊なホットIC | 18985 |
SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2546 |
SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ |
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