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SQ1912EH-T1_GE3 技術仕様

MOSFET ARRAY 2N-CH 20V SC70-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power - Max 1.5W
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.15nC @ 4.5V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQ1912AEEH-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 21480
SQ1912AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SQ1912EEH-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 3409
SQ1912EEH-T1-GE3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 18985
SQ1912EH-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2599
SQ1912EH-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ

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SQ1912EH-T1_GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SQ1912EH-T1_GE3 参考価格. SQ1912EH-T1_GE3 パラメーター, SQ1912EH-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQ1912EH-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQ1912EH-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQ1912EH-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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