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SQD19P06-60L_GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 60V 20A TO252

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 19A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SQD19P06-60L_GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 60V 20A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount
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SQD19P06-60L_GE3 書類

データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SQD19P06-60L_GE3

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQD19P06-60L VISHAY 特殊なホットIC 10466
SQD19P06-60L MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 17754
SQD19P06-60L-E3 ViSHAY 特殊なホットIC 2674
SQD19P06-60L-GE3 V 特殊なホットIC 2467
SQD19P06-60L-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 513
SQD19P06-60L_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 8465
SQD19P06-60L_GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SQD19P06-60L_T4GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0

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SQD19P06-60L_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQD19P06-60L_GE3 参考価格. SQD19P06-60L_GE3 パラメーター, SQD19P06-60L_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQD19P06-60L_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQD19P06-60L_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQD19P06-60L_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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