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SQD19P06-60L_GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 60V 20A TO252

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 19A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQD19P06-60L VISHAY 特殊なホットIC 10466
SQD19P06-60L MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 17754
SQD19P06-60L-E3 ViSHAY 特殊なホットIC 2674
SQD19P06-60L-GE3 V 特殊なホットIC 2467
SQD19P06-60L-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 513
SQD19P06-60L_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2955
SQD19P06-60L_GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SQD19P06-60L_T4GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0

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SQD19P06-60L_GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SQD19P06-60L_GE3 参考価格. SQD19P06-60L_GE3 パラメーター, SQD19P06-60L_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQD19P06-60L_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQD19P06-60L_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQD19P06-60L_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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