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SQJ410EP-T1_GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 10.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6210pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ410EP-T1_GE3 書類

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その他には以下が含まれます：   "SQJ41"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQJ410EP-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 320
SQJ411EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2606
SQJ411EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2667
SQJ411EP-T1_GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SQJ412EP-T1 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3036
SQJ412EP-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 12899
SQJ412EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2527
SQJ412EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2730
SQJ414EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
SQJ415EP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1479

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SQJ410EP-T1_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQJ410EP-T1_GE3 参考価格. SQJ410EP-T1_GE3 パラメーター, SQJ410EP-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQJ410EP-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQJ410EP-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQJ410EP-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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