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SQJ411EP-T1_GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9100pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 12V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQJ411EP-T1_GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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SQJ411EP-T1_GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQJ410EP-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 320
SQJ410EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2672
SQJ411EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2606
SQJ411EP-T1_GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SQJ412EP-T1 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3036
SQJ412EP-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 12899
SQJ412EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2527
SQJ412EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2730
SQJ414EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
SQJ415EP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1479

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SQJ411EP-T1_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQJ411EP-T1_GE3 参考価格. SQJ411EP-T1_GE3 パラメーター, SQJ411EP-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQJ411EP-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQJ411EP-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQJ411EP-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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