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SQJ912AEP-T1_GE3
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SQJ912AEP-T1_GE3 技術仕様
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power - Max | 48W |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1835pF @ 20V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 9.7A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SQJ912AEP-T1-GE3 SQJ912AEP-T1-GE3-ND SQJ912AEP-T1_GE3-ND SQJ912AEP-T1_GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
SQJ912AEP-T1_GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SQJ912AEP-T1_GE3
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データシート
SQJ912AEP-T1_GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SQJ91" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SQJ91'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SQJ910AEP-T1-GE3 | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 412 |
SQJ910AEP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 15207 |
SQJ910AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SQJ910AEP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SQJ912AEP-T1 | VISHAY | 特殊なホットIC | 2783 |
SQJ912AEP-T1-GE3 | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 755 |
SQJ912AEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 9395 |
SQJ912AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SQJ912BEP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2590 |
SQJ912BEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ |
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