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SQJ910AEP-T1_GE3 技術仕様

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power - Max 48W
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1869pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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SQJ910AEP-T1_GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQJ910AEP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 412
SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SQJ910AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SQJ912AEP-T1 VISHAY 特殊なホットIC 2783
SQJ912AEP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 755
SQJ912AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 9395
SQJ912AEP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 3094
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SQJ910AEP-T1_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQJ910AEP-T1_GE3 参考価格. SQJ910AEP-T1_GE3 パラメーター, SQJ910AEP-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQJ910AEP-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQJ910AEP-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQJ910AEP-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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