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SQJ968EP-T1_GE3 技術仕様

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power - Max 42W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 714pF @ 30V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23.5A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33.6 mOhm @ 4.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQJ968EP-T1_GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 23.5A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
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SQJ968EP-T1_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQJ968EP-T1_GE3 参考価格. SQJ968EP-T1_GE3 パラメーター, SQJ968EP-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQJ968EP-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQJ968EP-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQJ968EP-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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