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FJV4105RMTF 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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FJV4101RMTF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3306
FJV4101RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 18260
FJV4101RMTF ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJV4102RLIMTF FAI 特殊なホットIC 6484
FJV4102RMTF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 8728
FJV4102RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 10353
FJV4102RMTF ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJV4103RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 357619
FJV4103RMTF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 357619
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FJV4105RMTF ブランドメーカー: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip ストック, FJV4105RMTF 参考価格. FJV4105RMTF パラメーター, FJV4105RMTF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FJV4105RMTF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FJV4105RMTF ピン図と回路図と機能の使用方法、 FJV4105RMTF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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