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HGT1S10N120BNST 技術仕様

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 320µJ (on), 800µJ (off)
Power - Max 298W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C 23ns/165ns
Supplier Device Package TO-263AB
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 100nC
Current - Collector (Ic) (Max) 35A
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HGT1S10N120BNS AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 3141
HGT1S10N120BNS Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 1180
HGT1S10N120BNS ON Semiconductor 単一IGBT
HGT1S10N120BNST AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 3181
HGT1S10N120BNST ON Semiconductor 単一IGBT
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 647
HGT1S12N60A4DS AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2995
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HGT1S10N120BNST ブランドメーカー: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip ストック, HGT1S10N120BNST 参考価格. HGT1S10N120BNST パラメーター, HGT1S10N120BNST データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 HGT1S10N120BNST プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 HGT1S10N120BNST ピン図と回路図と機能の使用方法、 HGT1S10N120BNST エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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